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Sample上下变频器单边带变频消耗
2016-01-25
除非有格外注明,一般的Sample 上下变频器耗单边带变频消耗( SINGLE-SIDEBAND(SSB) CONVERSION LOSS ), 即只考虑射频输出信号频率为fLO+fIF或fLO-fIF。假如定义为双边带变频损耗(DOUBLE-SIDEBAND(DSB) CONVERSION LOSS), 则比单边带转频损耗低3dB。
1、Sample上下变频器输入端回波损耗或电压驻波比( PORT RETURN LOSS OR VSWR)
如同别的射频电路,输入端的回波损耗或电压驻波比是评价匹配与否的主要参数。对混频器而言,其输入端电压驻波比规范一般定在2 : 1 (IRL=-10 ), 最差为2.5 : 1 (-7.3)。 而各端口的回波损耗,受LO端输入功率的添加,各端口的阻抗会随之降低,致使各端口的回波损耗变大。
2、Sample上下变频器信号端与本振端的隔绝比(PORT ISOLATION)
信号端与本振端的隔绝比为评价LO端与RF端,和LO 端与IF端的噪声的搅扰克制程度。
转载文章请注明出处，本文出自Sample上下变频器专家盛铂科技。
2017-02-11
