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2015-10-10
Venable频率响应分析仪光电二极管耗尽区电容。耗尽层的电容是影响速度的主要因素,这就意味着大面积的光电勘探器不能用于勘探调制频率较高的光信号。加大光电勘探器本征层的宽度对进步量子功率和减小光电勘探器电容是共同的,而增大宽度意味着载流子在吸收区内的渡越时刻将会添加。
减小Venable频率响应分析仪光电勘探器的面积能够有用削减结电容和暗电流,可是小面积的光电勘探器给光纤的有用耦合带来了难度。因而,为了优化响应速度,需要挑选恰当的吸收深度和光电勘探器面积。比较合理的做法是挑选必定的耗尽层宽度,使得载流子渡越时刻是调制周期的一半。
转载文章请注明出处,本文出自电子测量仪器专家盛铂科技。
2017-02-11