概述
在复杂电磁环境下存在一类常见的背景信号—噪声信号，在电子、通信领域里几乎是随处可见的。电子管、晶体管的散弹噪声，电流通过电阻所产生的热噪声以及由它们所形成的接收机内部噪声等在通信传输过程中，天线系统、通信信道也存在着大量各种各样的噪声信号。当我们对电子设备进行评估或测量时，常常需要生成噪声信号用来模拟噪声对设备性能影响，在电子对抗中更需要产生噪声信号来形成各种噪声干扰信号。这些噪声信号中常见的就是白噪声。因此，模拟出接近理想白噪声信号性能的噪声将能为设备定型以及实际应用提供真实可信的技术依据。
传统高斯白噪声源只能生成全带宽的噪声信号，对于仅在特定中心频率和特定带宽条件下进行信道抗干扰性能的测试验证的应用就必须对全频带的噪声进行滤波，然而随着频率增加这一切就变得非常挑战！
盛铂科技的NIS100系列带限高斯噪声干扰源采用盛铂科技创新的OBT-HFCI一体化仪器平台，在该平台上集成了成熟的噪声产生模块、变频模块和盛铂科技创的SPWCALTM功率自动校准技术，实现精确的带限高斯白噪声信号的产生、放大和衰减功能，噪声带宽可以在10MHz、20MHz和50MHz之间自由切换，噪声功率输出准确达±0.5dB。NIS100系列带限高斯噪声干扰源在2个通道内同时分别实现0.1~6GHz波段内上变频器和带限高斯白噪声源。并凭借其优异的指标可充分满足如天线系统、无人机、导航、无线电台、信道仿真、模拟复杂电磁环境等应用。
主要特点
- 最大射频输出范围：0.1~6GHz
- 中频输入范围：30M~200MHz
- 带限噪声带宽：10MHz、20MHz和50MHz
- 准确的输出功率控制：优于±0.5dB
- 同一台仪器可输出上变频信号和带限高斯白噪声信号
- 标准3U的一体化仪器平台设计
- 7.9” TFT-LCD触摸屏显示，安卓操作系统
应用
- 电子对抗与电磁压制
- 信道仿真与无线通信
- 天线系统
- 无人机、导航与卫星通信
直接生产特定频率特定带宽高斯白噪声信号
客户价值
- 直接生成真正的带宽可选的高斯白噪声
- 同时额外提供高性能上变频功能
- 自动功率输出校准
- 不开机箱直接实现APP和内部FPGA程序升级
SPWCALTM精确射频功率校准技术
丰富的产品选择
盛铂科技NIS100系列产品家族通过精准的定位和细分的应用提供众多型号选择，以及丰富选件配置，满足用户的不同应用需求，最大程度上降低客户成本，保证您的投资最大化利用。
|
型号
|
功能描述
|
|
主机
|
|
NIS102
|
0.1~2GHz带限高斯噪声干扰源，10MHz带宽
|
|
NIS104
|
2~4GHz带限高斯噪声干扰源，10MHz带宽
|
|
NIS106
|
4~6GHz带限高斯噪声干扰源，10MHz带宽
|
|
NIS116
|
0.1~6GHz带限高斯噪声干扰源，10MHz带宽
|
|
选件
|
|
|
HO1001
|
10MHz+100MHz高稳锁相晶振选件
|
|
BW20
|
噪声源可选择输出噪声带宽为10MHz和20MHz
|
|
BW50
|
噪声源可选择输出噪声带宽为10MHz、20MHz和50MHz
|
|
DCH02-1022
|
额外0.1~2GHz射频输出上变频通道选件：噪声源与上变频两个独立通道输出，独立本振
|
|
DCH02-1042
|
额外2~4GHz射频输出上变频通道选件：噪声源与上变频两个独立通道输出，独立本振
|
|
DCH02-1062
|
额外4~6GHz射频输出上变频通道选件：噪声源与上变频两个独立通道输出，独立本振
|
|
DCH02-1162
|
额外0.1~6GHz射频输出上变频通道选件：噪声源与上变频两个独立通道输出，独立本振
|
1. 使用标配晶振本振相位噪声为-65dBc/Hz@1kHz，使用选件HO100最高频率（12GHz）本振相位噪声为-85dBc/Hz@1kHz，在选择DCH02-XXX额外上变频通道时，此选件作为必选选件。
2 .DCH02-XXX选件为额外增加一个独立的上变频通道输出，其中NIS通道输出带限高斯噪声干扰信号，RF通道输出上变频信号，两个通道有各自的独立本振，如果不购买此选件NIS通道仅能在噪声信号输出不工作时利用NIS通道使用上变频功能。
主要技术参数
噪声源主要技术指标
|
型号
|
NIS102
|
NIS104
|
NIS106
|
NIS116
|
|
输出频率
|
0.1~2GHz
|
2~4GHz
|
4~6GHz
|
0.1~6GHz
|
|
输出功率
|
-60~0dBm
|
|
输出1dB压缩点
|
+10dBm
|
|
杂散（典型）
|
≤-60dBc（不包含谐波）
|
|
功率调节步进
|
0.1dB
|
|
带内平坦度（10MHz）
|
≤±0.25dB
|
|
带内平坦度（20MHz）
|
≤±0.5dB
|
|
带内平坦度（50MHz）
|
≤±0.8dB
|
|
功率准确度
|
±0.5dB
|
|
频率稳定度
|
优于1e-8/24H
|
|
外参考
|
10MHz，5dBm±2dB
|
|
频率步进
|
1kHz
|
噪声信号输出平坦度（＜±0.25dB）
NIS100标准前视图
噪声源本振
|
本振信号技术指标
|
|
|
参数名称
|
最小值
|
典型值
|
最大值
|
|
频率步进
|
|
1kHz
|
|
|
本振相位噪声@12GHz
|
≤-85dBc/Hz@1kHz3
|
≤-65dBc/Hz@1kHz
|
|
|
参考输入标称频率
|
|
10MHz
|
|
|
本振信号频率转换时间
|
|
≤100μs
|
|
|
参考输入锁定范围
|
-0.5ppm
|
|
0.5ppm
|
|
参考输入信号功率
|
1dBm
|
|
5dBm
|
|
参考输出标称频率
|
|
10MHz
|
|
|
参考输出频率精度
|
|
0. 1ppm（RMS）
|
|
|
参考输出信号功率
|
3dBm
|
|
7dBm
|
|
输入输出驻波
|
≤1.8
|
3. 需购买HO100高稳锁相晶振选件。
上变频主要技术指标4
|
型号
|
NIS102
|
NIS104
|
NIS106
|
NIS116
|
|
输出频率
|
0.1~2GHz
|
2~4GHz
|
4~6GHz
|
0.1~6GHz
|
|
输入中频
|
30M~200MHz（带宽≤50%中心频率）
|
|
输出功率
|
-60~+10dBm
|
|
输出1dB压缩点
|
+15dBm
|
|
杂散（典型）
|
≤-60dBc（不包含谐波）
|
|
功率调整范围
|
60dB
|
|
功率调节步进
|
0.5dB
|
|
平坦度
|
±0.5dB
|
|
相位噪声@12GHz
|
≤-85dBc/Hz@1KHz5
|
|
频率步进
|
1kHz
|
|
输入输出驻波
|
≤1.8
|
4. 上变频可以是单通道的NIS100系列单独输出带限高斯白噪声源或上变频信号；也可以是NIS100系列加上DCH02和HO100选件构成两个独立通道，同时输出不同频率的高斯白噪声源和上变频信号。
5. 单通道的NIS100系列如果不选购HO100选件，则相位噪声为≤-65dBc/Hz@1KHz。
NIS100系列含DCH02和HO100选件前视图
上变频本振6
|
本振信号技术指标
|
|
|
参数名称
|
最小值
|
典型值
|
最大值
|
|
频率步进
|
|
1kHz
|
|
|
本振相位噪声
|
|
≤-85dBc/Hz@1kHz
|
|
|
参考输入标称频率
|
|
10MHz
|
|
|
本振信号频率转换时间
|
|
≤200μs
|
|
|
参考输入锁定范围
|
-0.05ppm
|
|
0.05ppm
|
|
参考输入信号功率
|
1dBm
|
|
5dBm
|
|
参考输出标称频率
|
|
10MHz
|
|
|
参考输出频率精度
|
|
0.05ppm
|
|
|
参考输出信号功率
|
3dBm
|
|
7dBm
|
|
输入输出驻波
|
≤1.8
|
|
|
|
|
|
|
6. 上变频的本振为HO100选件。
对外接口
|
NIS100噪声源前面板
|
|
标识
|
定义
|
方向
|
连接器
|
备注
|
|
NIS-OUT
|
带限高斯白噪声输出
|
O
|
SMA-K
|
|
|
RF-OUT
|
上变频信号输出
|
O
|
SMA-K
|
|
|
IF-IN
|
30~200MHz中频信号输入
|
I
|
SMA-K
|
|
|
NIS100噪声源后面板
|
|
标识
|
定义
|
方向
|
连接器
|
备注
|
|
AC
|
220V电源输入
|
I
|
|
|
|
LAN
|
局域网控制接口
|
IO
|
RJ450
|
校准时控制外部设备
|
|
FPGA
|
FPGA程序写入接口
|
IO
|
DB9(F)
|
|
|
USB
|
USB接口
|
IO
|
USB
|
安卓软件安装接口
|
|
控制接口
|
控制接口
|
IO
|
DB9(F)
|
备用
|
|
TRIG-IN
|
触发输入
|
I
|
BNC-K
|
|
|
TRIG-OUT
|
触发输出
|
O
|
BNC-K
|
|
|
REF-IN
|
参考输入
|
I
|
SMA-K
|
|
|
REF-OUT
|
参考输出
|
O
|
SMA-K
|
|
更多其他产品内容可咨询：400-621-8906